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采購內(nèi)容:射頻電源；主要功能或目標:5KW，（略）.（略）MHz電源 1.輸出功率：（略）W，可選功率范圍: 1W ~ 正常輸出功率； 2.電壓駐波比（VSWR）接近理想匹配狀態(tài)，設(shè)備可輸出其全部標稱功率；電壓駐波比在失配狀態(tài)時（VSWR3.0 : 1:），設(shè)備可輸出其全部標稱功率的（略）%；電壓駐波比在極端不匹配時（VSWR接近無限時）輸出功率（正向功率）大于標稱功率的（略）%； 3.最大反射功率: （略）W，標稱負載阻抗: （略）Ω. 4.輸出頻率及誤差: （略）.（略）MHz ± 5%. 5.通信接口：有同步接口；有模擬/數(shù)字，可選配 RS-（略） / RS-（略）/ Ether（略）T/DeviceNet 6.外殼IP防護等級：（略） 7.水冷冷卻要求：最大水壓： 8 bar；最小壓差： 2 bar；冷卻溫度：5 °C~（略） °C 8.環(huán)境條件:室外溫度： 5 °C – （略） °C;濕度：5 % – （略） % 大氣壓力：（略）.5 kPa – （略） kPa; 9.配置專用匹配器 2KW，（略）.（略）MHz電源 1.功率輸出范圍：1W – （略）W，最大反射功率： （略） W 當電壓駐波比（VSWR1：1~3：1），設(shè)備可輸出其全部標稱功率；當電壓駐波比（VSWR）極端不匹配時（VSWR接近無限時），輸出功率（正向功率）大于標稱功率的（略）%； 2.輸出頻率： （略）.（略） MHz ± 0.（略） %； 3.輸出阻抗： （略） Ω；諧波： -（略） dBc；雜波： -（略） dBc；功率精度：±1W or ±1 %；浪涌：±1W；輸出功率重復性：±2W or ±1 % 4.可選擇運行常規(guī)模式和脈沖模式，常規(guī)模式：正向功率、負載功率、外部電壓；脈沖模式：1 Hz–（略） kHz，內(nèi)部和外部信號源 頻率捷變：±（略） kHz（±5%） 具有抑弧功能： 5.接口：模擬；DeviceNet；RS（略）/（略）端口/模擬；ther（略）T；RS（略）/（略）端口/模擬；（略）總線；RS（略）/（略）端口/同步（CE（略）；脈沖；抑弧）：是 6.水冷方式：環(huán)境溫度：5°C – （略）°C； 7.外殼防護等級：（略） 8.可選配最高到（略）kHz的脈沖輸出頻率；具備智能自動調(diào)頻（Auto Frequency Tuning）、抑弧功能（Arc Management） 9.配置專用匹配器；需滿足的要求:可用于射頻磁控濺射鍍膜裝置、射頻離子源加工以及射頻等離子體刻蝕加工專用設(shè)備中，磁控濺射源、離子源和等離子體源的射頻電源提供。。

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