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采購內(nèi)容:（略）子束外延（MBE）設(shè)備；主要功能或（略）1套 1（略）包含進(jìn)樣室、預(yù)處理室、外延室； 1.1、進(jìn)樣室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋（略）L不銹鋼制造； 1.2、預(yù)處理室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋（略）L不銹鋼制造； 1.3、外延室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋（略）L不銹鋼制造，冷阱采用優(yōu)質(zhì)（略）L不銹鋼制； 2（略）真空： 2.1進(jìn)樣室配有（略）子泵、干泵獲得真空，極限真空：≤5×（略）-8Torr； 2.2、預(yù)處理室配有離子泵，極限真空：≤5×（略）-（略）Torr； 2.3、外延室配有低溫泵、離子泵、升華泵，極限真空≤5×（略）-（略）Torr； 3（略）： 3.1、進(jìn)樣室配有襯底庫； 3.2、預(yù)處理室配有除氣臺(tái)； 4（略）用于在真空腔室中完成襯底輸送。主要由手動(dòng)升降機(jī)構(gòu)、自動(dòng)線性傳遞機(jī)構(gòu)等組成。 6、外延室配有伸縮式可移動(dòng)式束流計(jì)；檢測(cè)極限≤1×（略）-（略） Torr； 7、外延室配有原位高能電子衍射儀：電子槍能量范圍：1-（略） KeV； 8、外延室配有四極質(zhì)譜儀：量程：1-（略）amu，檢測(cè)極限≤1.0×（略）-（略） Torr；可遠(yuǎn)程控制，附帶RGA控制與（略）析（略）； 9（略）； （略）、UPS電源：可以滿足1個(gè)Al爐、2臺(tái)離子泵、1臺(tái)工控機(jī)，≥1個(gè)小時(shí)的供電； （略）配備專業(yè)控制（略），烘烤溫度不低于（略）℃，烘烤程序可控，實(shí)際控溫精度為±（略）℃； （略）主要應(yīng)用于工藝編程、真空獲得、（略）。主要由人機(jī)交互界面、底層PLC核心驅(qū)動(dòng)部件、數(shù)據(jù)處理和保存部件。操作模式（略）為手動(dòng)模式、自動(dòng)模式（略）控制MBE生長(zhǎng)室工藝，實(shí)現(xiàn)工藝自動(dòng)化控制； （略）、設(shè)備和（略）具有安全互聯(lián)互鎖功能。；需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，設(shè)備支持：生長(zhǎng)Ⅲ-As/P化合物半導(dǎo)體及其多（略）固溶體單晶薄膜或結(jié)構(gòu)，包括GaAs襯底上生長(zhǎng)的GaAs，AlGaAs，AlGaInAs和AlGaInP，InP襯底上生長(zhǎng)的InP，InGaAs，AlGaInAs，和InGaAsP；生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)、超晶格和量子阱等結(jié)構(gòu)；生長(zhǎng)發(fā)光二極管（LED）、邊發(fā)射和垂直腔（VCSEL）面發(fā)射激光器、太陽電池、光電探測(cè)器等光電器件；生長(zhǎng)高電子遷移率晶體管（HEMT）、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管等功率器件。。

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