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招標代理公司（立即查看） 受業(yè)主單位（立即查看） 委托，于2024-11-25在采購與招標網(wǎng)發(fā)布 國產(chǎn)FPGA芯片及配套元器件（清采比選20241745號）采購公告。現(xiàn)邀請全國供應商參與投標，有意向的單位請及時聯(lián)系項目聯(lián)系人參與投標。 國產(chǎn)FPGA芯片及配套（略）器件（清采比選（略）號）采購公告發(fā)布時間：（略）-（略）-（略）:（略）:（略）閱讀量：（略）次采購項目名稱國產(chǎn)FPGA芯片及配套（略）器件采購項目編號清采比選（略）號公告開始時間（略）-（略）-（略）:（略）:（略）公告截止時間（略）-（略）-（略）:（略）:（略）對外聯(lián)系人本項目不接受咨詢（略）已關閉聯(lián)系電話本項目不接受咨詢（略）已關閉簽約時間要求成交后3個工作日內(nèi)如不按時簽訂合同，采購單位有權取消或變更采購結果交貨時間要求簽訂合同后5個工作日內(nèi)采購單位清華大學最高限價￥（略）,（略）.（略）未公布國內(nèi)合同付款方式合同簽訂后（略）%，驗收合格后（略）%交貨地（略）清華大學供應商特殊資質(zhì)要求無采購清單1物資名稱采購數(shù)量計量單位FMQL（略）T（略）芯片及配套（略）器件1批品牌品牌1型號品牌2型號品牌3型號單價￥（略）,（略）.（略）技術參數(shù)及配置要求采購（略）器件芯片一批，共計（略）種，其中FMQL（略）T（略）要求是上海復旦微電子的全新品芯片，M（略）T（略）要求是北京時代民芯的全新品芯片。均要求原廠原封，需要提供原廠的國產(chǎn)化證明文件（模版由采購方提供），否則按廢標處理。具體清單如下。序號類別型號規(guī)格數(shù)量1磁珠BLM（略）A（略）SN1片（略）rent=（略）mA;DCRes=0.（略）ohm;（略）三端子穿芯電容CNR（略）R（略）M3端子穿芯電容1uF2A6.3VChipPowerEMIFilterThrough（略）P1uF（略）%DC:2A（略）ESD器件PESD5V0S1BLLowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodesESDprotection（略）kVSOD（略）晶體管器件BAT（略）CSchottkybarrierdoublediodesSOT_（略）封裝（略）線板連接器連接器GH1.（略）mm間距4P立式單排針座GHC_4PSMD（略）板間連接器NLB-P（略）-（略）C-2.0H板對板連接器（略）pinNLB-P（略）-（略）C-2.0HPLUG公座間距0.8，高度2.0mmSMD（略）卡座Molex_（略）-（略）掀蓋卡座microSD卡座（1.（略）mmPitchTransFlashMemoryCardConnector,HingeType,RoundCornerTop）（略）射頻連接器貼片IP（略）射頻座MM（略）-2IP（略）射頻座MHFSiriesMicroCoaxialConnectorReceptacleVertical￠2x1.（略）mm3P（略）按鍵開關2P復位按鍵復位按鍵長4寬3高2MM按鍵輕觸開關貼片2腳（略）巴倫HHM（略）A1MULTILAYERBALUNSPECIFI（略）TION（略）~（略）MHz-（略）°C~+（略）°C（略）FPGACPLDFMQL（略）T（略）FCBGA（略）存儲器I（略）S4C（略）M（略）D3LB-（略）BIN"DDR3Density:4Gbits-Organization:（略）Mwordsx（略）bitsx8banksMaxClock（略）MHZ（略）-ballFBGA-（略）°Cto+（略）°C"（略）復位ICTPS（略）-（略）DBVR"Power-OnResetGeneratorWithFixedDelayTimeof（略）msSOT（略）_5P–（略）°Cto（略）°C"（略）絡IC（略）E（略）-A1-NNC1Single-PortGigabitEthernetTransceiverwithIntegratedPassivesQFN（略）接口ICUSB（略）C_EZKHI-SPEEDUSBTransceiverwithVariableVoltageULPIandSelectableReferenceFrequencyQFN（略）–（略）°Cto（略）°C（略）絡變壓器H（略）NL（略）PCCardLANMagneticModulesSINGLEPORT，TurnsRatio：T（略）1：1R（略）1：（略）%，SO（略）x（略）x（略）mm（略）p（略）時鐘Si（略）B-A-GMR"I2C-PROGRAMMABLEANY-FREQUENCY,ANY-OUTPUTQUADCLOCKGENERATORQFN（略）–（略）to+（略）°C"（略）RF轉(zhuǎn)換器M（略）T（略）BGA_（略）P（略）_（略）P（略）邏輯ICMC（略）EPT（略）DG"3.3V1:2FanoutDifferentialLVPECLLVDStoLVTTLTranslatorSO?8-（略）to+（略）"（略）無源晶體FC-（略）.（略）Hz（略）TAL_FC-（略）精度（略）ppm;SMD：3.2×1.5×0.（略）mm2P-（略）°Cto+（略）°C（略）有源晶振SG-（略）.（略）MHz晶體振蕩器SG-（略）-（略）.（略）MHz3.3V精度±（略）ppm（略）pF,SMD：3.2x2.5x1.2mm4P-（略）°Cto+（略）°C（略）電容器（略）nF（略）V片狀多層陶瓷電容（略）nF±（略）%（略）V（略）7R;（略）電容器（略）uF（略）V片狀獨石陶瓷電容（略）uF±（略）%（略）V（略）5R;（略）電容器4.7uF（略）V片狀多層陶瓷電容4.7uF±（略）%（略）V（略）5R;（略）電容器（略）nF（略）V片狀多層陶瓷電容（略）nF±（略）%（略）V（略）5R;（略）電容器1uF（略）V片狀多層陶瓷電容1uF±（略）%（略）V（略）5R;（略）電容器（略）uF（略）V片狀多層陶瓷電容（略）uF±（略）%（略）V（略）5R;（略）電阻器（略）KΩ厚膜型片狀電阻（略）KΩ±5%,（略）W;（略）電阻器（略）KΩ厚膜型片狀電阻（略）KΩ±5%,（略）W;（略）電阻器4.7KΩ厚膜型片狀電阻4.7KΩ±5%,（略）W;（略）電阻器（略）Ω厚膜型片狀電阻（略）Ω±5%,（略）W;（略）電阻器0Ω厚膜型片狀電阻0Ω±5%,（略）W;（略）電阻器（略）Ω厚膜型片狀電阻（略）Ω±5%（略）W;（略）電阻器（略）Ω厚膜型片狀電阻（略）Ω±5%,（略）W;（略）電阻器（略）Ω厚膜型片狀電阻（略）Ω±5%（略）W;（略）電阻器（略）.2KΩ厚膜型片狀電阻（略）.2KΩ±1%（略）W;（略）電阻器（略）.3KΩ厚膜型片狀電阻（略）.3KΩ±1%（略）W;（略）電源芯片MA（略）ETB+TLow-VoltageDDRLinearRegulatorsTDFN-（略）-（略）°Cto+（略）°C（略）電源芯片REF（略）AIDBZR1.（略）V電壓輸出，基準電源（略）電源芯片（略）RP（略）IDBTR-F"PWMstepdownbuckregulatorcapableofaconstantoutputcurrentupto3Amps.Awide4.（略）Vto（略）Vinputvoltage"（略）射頻繞線電感（略）A1nHWirewoundCeramicInductor,1nH±0.2（略）mohm,SRF:6.0GHz,Size:（略）射頻繞線電感（略）A（略）nHWirewoundCeramicInductor,（略）nH±5（略）mohm,SRF:1.8GHz,Size:（略）功率電感JSWPA（略）S1R0NTShieldedPowerInductors1.2uH±（略）%,（略）.5A,RDC:8.5mohm,SRF:（略）MHz,Shield:Yes,Size:5.（略）x5.（略）x3.1mm（略）功率電感JSWPA（略）S3R3MTShieldedPowerInductors3.3uH±（略）%,5.5A,RDC:（略）mohm,SRF:（略）MHz,Shield:Yes,Size:4x4x3.1mm（略）以上器件交付時需送至采購方指定的貼片廠，支持上線貼片，并（略）板加電檢測，對非合格的拆焊后的芯片提供更換質(zhì)保。質(zhì)保期（略）個月清華大學（略）-（略）-（略）:（略）:（略）附件（略）：我已閱讀并同意《清華大學項目參與須知》訪問量（略）查看原文